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致真存儲（北京）科技有限公司，依托國內(nèi)一流高?？蒲谐晒?，致力于基于電子自旋特性的磁性隨機存儲器（MRAM）的技術(shù)開發(fā)和芯片制造，開啟并完成天使輪融資。國內(nèi)首創(chuàng)、國際一流的8英寸磁性存儲芯片專用后道工藝中試線；掌握國際領(lǐng)先磁存儲芯片的設(shè)計、制造工藝核心技術(shù)。團隊成功研發(fā)了高隧穿磁阻效應(yīng)的磁隧道結(jié)，作為MRAM的核心存儲單元，其關(guān)鍵指標(biāo)高于國際領(lǐng)先水平，是國內(nèi)首個80nm以下MRAM核心器件，研發(fā)資源與工藝能力處于國內(nèi)頂尖水平。

公司主要圍繞MRAM芯片，展開工藝開發(fā)、芯片制造、解決方案提供等業(yè)務(wù)。公司作為國內(nèi)極具競爭力的新科技類創(chuàng)業(yè)企業(yè)，擁有自主可控研發(fā)線，期待有拼搏精神的伙伴加入！