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測(cè)試工程師 8000元以上
致真存儲(chǔ)(北京)科技有限公司 查看所有崗位
  • 青島市嶗山區(qū)
  • 經(jīng)驗(yàn)不限
  • 本科
  • 若干
  • 保險(xiǎn)
  • 公積金
  • 年終獎(jiǎng)
  • 獎(jiǎng)金提成
  • 節(jié)日福利
  • 雙休
  • 8小時(shí)工作制
  • 帶薪年假
  • 公費(fèi)培訓(xùn)
  • 健康體檢
  • 提供住宿
  • 住房補(bǔ)貼
職位描述
本崗位主要負(fù)責(zé)非易失磁存儲(chǔ)芯片(MRAM)的晶圓級(jí)測(cè)試,存儲(chǔ)器件測(cè)試。并與MRAM工藝團(tuán)隊(duì)、電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)共同開(kāi)發(fā)產(chǎn)品,制定WAT測(cè)試方案,完成器件性能評(píng)估。MRAM的制造涉及新型微納器件及非標(biāo)準(zhǔn)集成工藝,需要與工藝工程師配合,完成存儲(chǔ)器的核心存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì),陣列設(shè)計(jì)及相關(guān)測(cè)試,并對(duì)器件及陣列進(jìn)行優(yōu)化。
工作職責(zé):
1、負(fù)責(zé)MRAM的器件表征工作;
2、對(duì)MRAM的存儲(chǔ)單元和陣列進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試或自動(dòng)化測(cè)試,了解其電氣性能,制定設(shè)備結(jié)構(gòu)、材料和電氣性能改進(jìn)方案;
3、建立存儲(chǔ)單元可靠性失效模型,制定可靠性表征方法,提升可靠性測(cè)試效率;
4、與電路設(shè)計(jì),產(chǎn)品/測(cè)試工程協(xié)同合作,優(yōu)化測(cè)試流程;
5、分析存儲(chǔ)單元相關(guān)WAT數(shù)據(jù)和單元陣列性能,及時(shí)發(fā)布報(bào)告,關(guān)聯(lián)off-line、in-line、WAT、SORT、可靠性和后端測(cè)試數(shù)據(jù),了解其對(duì)關(guān)鍵單元數(shù)值的影響,明確優(yōu)化方向;
6、與跨職能團(tuán)隊(duì)合作,包括工藝模塊,設(shè)備工程師,產(chǎn)品工程師,電路設(shè)計(jì)和測(cè)試工程師等,以解決工藝及設(shè)計(jì)技術(shù)問(wèn)題,并開(kāi)發(fā)創(chuàng)新的解決方案,以滿(mǎn)足產(chǎn)品合格標(biāo)準(zhǔn);
7、查閱技術(shù)文獻(xiàn),深入理解項(xiàng)目相關(guān)技術(shù),指導(dǎo)問(wèn)題的解決和發(fā)展方向。
應(yīng)聘要求
1、本科以上學(xué)歷,物理、微電子、材料、化學(xué)等集成電路相關(guān)專(zhuān)業(yè);
2、對(duì)半導(dǎo)體器件的物理特性,電學(xué)特性,制造工藝等方面技術(shù)知識(shí)深入了解;
3、熟悉DRAM、FLASH等主流存儲(chǔ)技術(shù),了解MRAM等新型存儲(chǔ)技術(shù)者優(yōu)先;
4、具備數(shù)據(jù)分析、DOE和器件特性分析能力;
5、具備半導(dǎo)體設(shè)備自動(dòng)化操作和軟件工具使用能力;
6、具備較強(qiáng)的溝通、分析,報(bào)告撰寫(xiě)、演示能力;
7、自我管理能力強(qiáng),抗壓能力強(qiáng),擁有團(tuán)隊(duì)建設(shè)能力者優(yōu)先。
聯(lián)系方式
聯(lián)系人:張老師
公司地址:北京市海淀區(qū)知春路6號(hào)(錦秋國(guó)際大廈)10層A03
最近登錄:2022-11-28
致真存儲(chǔ)(北京)科技有限公司地址:

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公司名片
  • 公司名稱(chēng):
    致真存儲(chǔ)(北京)科技有限公司
  • 公司性質(zhì):私營(yíng)企業(yè)
  • 注冊(cè)資金:500-1000萬(wàn)
  • 公司規(guī)模:50-100人
  • 成立時(shí)間:2019年
公司簡(jiǎn)介
  • 致真存儲(chǔ)(北京)科技有限公司,依托國(guó)內(nèi)一流高校科研成果,致力于基于電子自旋特性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)的技術(shù)開(kāi)發(fā)和芯片制造,開(kāi)啟并完成天使輪融資。國(guó)內(nèi)首創(chuàng)、國(guó)際一流的8英寸磁性存儲(chǔ)芯片專(zhuān)用后道工藝中試線;掌握國(guó)際領(lǐng)先磁存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)、制造工藝核心技術(shù)。團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)了高隧穿磁阻效應(yīng)的磁隧道結(jié),作為MRAM的核心存儲(chǔ)單元,其關(guān)鍵指標(biāo)高于國(guó)際領(lǐng)先水平,是國(guó)內(nèi)首個(gè)80nm以下MRAM核心器件,研發(fā)資源與工藝能力處于國(guó)內(nèi)頂尖水平。 公司主要圍繞MRAM芯片,展開(kāi)工藝開(kāi)發(fā)、芯片制造、解決方案提供等業(yè)務(wù)
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  • 城市:山東省濟(jì)南市
  • 地點(diǎn):山東省體育館-山東高速籃球館
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